TESCAN プラズマ FIB-SEM の主な利点
目的主導のパフォーマンス
XeプラズマFIBビームの高速材料除去機能により、効率的な物理的故障解析を加速します。
ディープサンプル
アクセス
最大3μAのイオンビーム電流で深さ1mmまでの埋設構造物に到達。
ナノスケールの精度
Triglav™ SEMカラムの高分解能イメージングにより、フライス加工や断面加工の際にナノメートル精度の端点計測を実現します。
優れた表面感度と高い材料コントラスト
優れた表面感度と材料コントラストを持つTESCANのTriglav™ SEMカラムを使用して、ビーム感応性材料の超高分解能イメージングを行うことができます。
原始的なサンプルの保存
プラズマFIBビームの不活性Xeイオンにより、Gaの注入や表面損傷を排除し、高品質で損傷のないTEM試料を作製します。
人工物なし
結果
特許取得済みのロッキングステージによる交互のミーリングアングルと、大電流でイオンビームの最も効率的な中心部を利用するTRUE X断面により、困難な複合材でもアーティファクトのない断面を作成できます。
ユーザー主導
インターフェース
TESCANのEssence™グラフィカルユーザーインターフェースの高度なワークフローにより、すべてのユーザーの生産性を向上させます。
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半導体パッケージ故障解析用TESCAN SOLARIS X
TESCANプラズマFIB-SEMを深く知る
TESCAN SOLARIS XでOLEDディスプレイの超大面積断面を作成する方法を学ぶ
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先進の積層ICパッケージ（2.5D、3D IC）、フリップチップ、MEMSデバイス、OLEDおよびTFTディスプレイ、MLCCコンデンサ、3D NAND、その他多数の物理的故障解析を実施。
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はんだボール、TSV、ボンドパッドなどの高度なパッケージングデバイスの高速大容量3D EDSおよび3D EBSDマイクロアナリシスを使用して、詳細な材料組成分析と特性評価を行います。
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パッケージやICレベルのサンプルから、厚さ100 nm以下の精密で高品質なGaフリーTEMラメラを作製し、その後のSTEM分析に使用。
