TESCANSOLARIS X,
プラズマ FIB-SEM
パワーハウス

ディープセクショニングと高分解能エンドポインティングのための先進プラットフォームでパッケージレベルの故障解析を向上させる

TESCAN プラズマ FIB-SEM の主な利点

目的主導のパフォーマンス

目的主導のパフォーマンス

 

XeプラズマFIBビームの高速材料除去機能により、効率的な物理的故障解析を加速します。

ディープサンプル

アクセス

ディープ・サンプル・アクセス

 

最大3μAのイオンビーム電流で深さ1mmまでの埋設構造物に到達。

ナノスケールの精度

ナノスケールの精度

 

Triglav™ SEMカラムの高分解能イメージングにより、フライス加工や断面加工の際にナノメートル精度の端点計測を実現します。

優れた表面感度と高い材料コントラスト

優れた表面感度と高い材料コントラスト

優れた表面感度と材料コントラストを持つTESCANのTriglav™ SEMカラムを使用して、ビーム感応性材料の超高分解能イメージングを行うことができます。

原始的なサンプルの保存

原始的なサンプルの保存

プラズマFIBビームの不活性Xeイオンにより、Gaの注入や表面損傷を排除し、高品質で損傷のないTEM試料を作製します。

人工物なし

結果

アーティファクトのない結果

特許取得済みのロッキングステージによる交互のミーリングアングルと、大電流でイオンビームの最も効率的な中心部を利用するTRUE X断面により、困難な複合材でもアーティファクトのない断面を作成できます。

ユーザー主導

インターフェース

ユーザー主導のインターフェイス

TESCANのEssence™グラフィカルユーザーインターフェースの高度なワークフローにより、すべてのユーザーの生産性を向上させます。

TESCANプラズマFIB-SEMの詳細については、ウェビナーにご登録ください。

半導体パッケージ故障解析用TESCAN SOLARIS X

TESCANプラズマFIB-SEMを深く知る

TESCAN SOLARIS XでOLEDディスプレイの超大面積断面を作成する方法を学ぶ

TEM グリッドに取り付けられた3D NAND メモリーの塊。

複雑な故障を解明する:次世代ICパッケージとデバイスの解析

先進の積層ICパッケージ(2.5D、3D IC)、フリップチップ、MEMSデバイス、OLEDおよびTFTディスプレイ、MLCCコンデンサ、3D NAND、その他多数の物理的故障解析を実施。

プラズマFIB-SEMで作製した約800枚のバンプ-TSVスタックの3次元EDS再構成。

材料の秘密を解き明かす:詳細な3D EDS & EBSDマイクロアナリシス

はんだボール、TSV、ボンドパッドなどの高度なパッケージングデバイスの高速大容量3D EDSおよび3D EBSDマイクロアナリシスを使用して、詳細な材料組成分析と特性評価を行います。

TESCANのTrueX-Sectioningワークフローで、ナノマニピュレーター上のプレハブシリコン・マスクを持ち上げる。

表面下の特徴を発見するSTEM解析のためのGaフリーTEMラメラの作成

パッケージやICレベルのサンプルから、厚さ100 nm以下の精密で高品質なGaフリーTEMラメラを作製し、その後のSTEM分析に使用。

当社のソリューションで分析を強化

TESCAN ロッキングステージ

TESCAN ロッキングステージ上の試料とビームの一致点。

アーチファクトのない FIB 断面と、困難な試料の精密な SEM エンドポインティングを実現。

TESCANトゥルーXセクショニング

TESCAN TrueX-Sectioningワークフローにおける様々なサイズのプレハブシリコンマスク。

高ビーム電流を損なわないリップルフリープラズマFIB断面加工で時間を節約。

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