ディレイ用TESCAN AMBER X 2
ユニフォーム
ディレイヤリング
10nm以下のテクノロジーノード向けに最適化されたNanoflat ChaseおよびC-mazeガスケミストリーを活用することで、一貫したアーチファクトのない遅延を実現します。
デバイス
完全性
デリケートなサンプル処理に不活性Xeイオンを使用した、精密で低kVのプラズマFIBミリングで電気特性を維持します。
失敗
ローカライゼーション
効果的なパッシブ電圧コントラストイメージング用に設計された洗練されたレンズ内検出により、欠陥分離を効率化します。
ディレイリング
オートメーション
インテリジェントなTESCANDelayeringTM ソフトウェアにより、エンドポイントの決定を簡素化し、ターゲット層への遅延処理を自動化します。
電気
解析
互換性のある業界最先端のナノプローブ・ソリューションを使用して、電気的障害のその場検証や特性評価を容易にします。
ユーザー
生産性
直感的なTESCANEssenceTMグラフィカル・ユーザー・インターフェイスにより、あらゆる専門レベルのユーザーの業務効率を高めます。
TESCAN AMBER X 2を見る
ディレイ用
TESCAN AMBER X 2のディレイヤリングにおける利点
様々な半導体ノードのNMOSおよびPMOSトランジスタの詳細な特性評価にSEMベースのナノプロービングを活用し、効果的な遅延処理のための正確な層ターゲティングを容易にします。
詳細なSEMベースのナノプローブ
洗練された SEM ベースの
ナノプロービングを活用し、
22、14、10、5 nm を含む
半導体ノードのスペクトラムにわたって NMOS および PMOS
トランジスタを正確に特性評価する。
ターゲット・ユニフォーム・ディレイヤリング
スタック内の指定されたレイヤーをインテリジェントに識別し、停止させる高度な自動化により、綿密で均一な遅延を実現します。
一貫した大面積ディレイヤリング
特殊な「穴あき」ノズルを使用することで、300×300μm2の大面積で、広範囲かつ均一な遅延を実現。