効率的なリソース利用
あらかじめプログラムされたレシピを使用することで、装置の完全性を保ちながら、無人で一貫したプラズマFIB遅延処理を行うことができます。
独自の化学統合
Xe Plasma FIBとTESCANのmとの相乗効果により、現代の半導体ノードにおける最適な遅延を実現します。
.png?width=734&height=617&name=image1_higher%20kopie%20(1).png)
NanoflatとC-mazeケミストリーを使用した、7nm FinFET CPUデバイスの底層数層にわたる自動遅延処理。
カスタマイズと
一貫性
あらかじめ定義されたテンプレートを使って、独自の遅延加工プロセスを作成・適用し、サンプル間で均一な適用と再現性を保証します。
徹底したモニタリング
TESCAN Delayeringモジュール内のピーク認識機能を活用し、精巧なエンドポイント検出でディレイリングの進捗を追跡。
A) 遅延処理中の FIB 終点信号のライブピーク検出。
B) M0に遅延させた14nmデバイス。500eVでのイメージングとプロービング。
中断のない
保証
重要なレイヤーに到達する前に遅延を止め、デバイスの機能を保護するように設計された自動化プロセスに頼ってください。
エッセンスTM自動遅延処理の高度なアプリケーション
エンハンスト・イメージング
1kV以下のSEMイメージングを活用し、明確な電圧コントラストと迅速な故障特定を実現。
化学オプション
Nanoflat、Chase、C-mazeのような多様な遅延ケミストリーから、様々なサンプルタイプに合わせて選択できます。
エッセンスTMモジュール
エッセンス遅延モジュールを活用して、3D NANDスタック全体で均一なエッチングを行い、徹底的な解析を実現します。